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  • 太阳能锗晶片

    公司能够研发拥有自主知识产权的4英寸和6英寸VGF法单晶生长炉,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位错”太阳能电池用锗单晶片生产线。

    We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


    锗晶片技术规格

       生长方法

      Growth Method 

       VGF 

      掺杂类型

      Dopant 

      P型:镓 

      p-type: Ga 

      N型:砷

      n-type: As

      晶片形状

      Wafer Shape 

      圆形(尺寸2、3、4、6英寸)

      Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

      晶向 

      Surface Orientation * 

      (100)±0.5° 

      * Other Orientations maybe available upon request 

        其他晶向要求可根据客户需求加工 

      电阻率 

      Resistivity  (Ω.cm) 

      根据客户要求

      As Required

      位错 

      Etch Pitch Density (cm2) 

      ≤ 300 

      厚度 

      Thickness (μm) 

      175±25(或根据客户要求)

      175±25 (or as required) 

      TTV [P/P] (μm) 

      ≤ 10 

      WARP (μm) 

      ≤ 15 

      IF** (mm) 

      32.5±1 

      **If needed by customer 

          根据客户需要 

      主面抛光

      Surface 

       E/E, P/E, P/G 


    锗衬底产品营销中心:
    联系电话:13398718466
    E-mail:alexchen@sino-ge.com
    传真:+86 871 65902819
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